mos device中文是什么意思

• 金属-氧化物-半导体器件

• "mo"中文翻译    n. 〔俚、谑〕＝ moment. Wait half ...
• "device"中文翻译    n. 1.设计，计划；方法，手段。 2.〔pl.〕意志， ...
• "bipolar mos device" 中文翻译 :    双极金属氧化物半导体掐
• "complementary mos device" 中文翻译 :    互补金属氧化物半导体器件
• "elementary mos device" 中文翻译 :    分立金属氧化物半导体掐
• "enhancement mos device" 中文翻译 :    增强型金氧半导体器件
• "groove mos device" 中文翻译 :    槽型栅金属氧化物半导体掐
• "ion implanted mos device" 中文翻译 :    离子注入金属氧化物半导体掐
• "single device mos gate" 中文翻译 :    单金属氧化物半导体晶体管式门电路
• "submicron scale mos device" 中文翻译 :    亚微米尺寸金属氧化物半导体掐
• "v groove mos device" 中文翻译 :    v 槽型栅金属氧化物半导体掐; 槽型栅金属氧化物半导体装置
• "mos" 中文翻译 :    不需要现场收音的无声取景; 存储器; 浮动栅雪崩注入型; 海洋观测卫星；模式输出统计; 毫渗克分子的; 毫渗克分子量; 毫渗摩尔的; 金属 氧化物 半导体; 金属氧化半导体; 金属氧化物半导体器件; 金属氧化物硅; 晶体管; 晶闸管; 茅斯; 摩士集团股份有限公司; 莫什; 莫斯; 生态种群; 双栅极; 习惯; 月数
• "h mos mos technology" 中文翻译 :    高性能金属氧化物半导体技术
• "master mos approach mos" 中文翻译 :    结构母片方法
• "bipolar mos" 中文翻译 :    双极金氧半导体
• "channel mos" 中文翻译 :    通道金氧半导体; 型沟道金属氧化物半导体
• "complementary mos" 中文翻译 :    互补mos; 互补金属氧化物半导体
• "depletion mos" 中文翻译 :    耗尽型mos管; 耗尽型金属氧化物半导体
• "enhancement mos" 中文翻译 :    增强型金属氧化物半导体场效应晶体管; 增强型金氧半导体器件; 增强型金氧半导体掐; 增强性
• "groove mos" 中文翻译 :    型槽金属氧化物半导体
• "mos amplifier" 中文翻译 :    金属氧化物半导体放大器
• "mos array" 中文翻译 :    金属氧化物半导体阵列, mos阵列
• "mos burger" 中文翻译 :    摩斯堡; 摩斯汉堡
• "mos circuit" 中文翻译 :    电路
• "mos circuits" 中文翻译 :    mos电路

• An analytical model for polysilicon quantization in mos devices
  退化建模与仿真方法
• V groove mos device
  槽型栅金属氧化物半导体掐
• Simulating threshold voltage shift of mos devices due to radiation in the low - dose range
  低剂量辐照条件下的mosfet因辐照导致的阈值电压漂移的模拟
• This article is mainly about the sige hetrojunction mos device fabricated by soi technology
  本论文主要介绍的是基于soi技术的sige异质结mos器件。
• The radiation effects of mos devices implanted bf2 at low dose rate are investigated in some different respects in this paper
  本文从不同方面对bf _ 2 ~ -注入mos管低剂量率辐照效应进行了深入的研究。
• In the process of the circuit design , sige hbt and mos devices must be arranged properly in order to realize advantage complementarity
  在具体电路设计过程中,根据sigehbt和mos器件的特点,合理使用两种器件以实现优势互补。
• Spic ( smart power integrated circuit ) based on new power mos device develop rapidly along with the advancement of micro - electronics technology
  随着微电子技术的进步,以新型功率mos器件为基础的智能功率集成电路( spic )得到了迅速发展。
• It is one of trial projects of defensively science laboratory . high voltage soi lateral mos devices studied in this paper are early application work for soi spic
  本课题进行高压soi横向mos器件的研究，是soispic研究的先期应用性工作，将为今后进行soispic的研究提供基础。
• It is the only one compound semiconductor whose native oxide is sio2 . therefore , the sic devices can be manufactured using the technology of the silicon processing , for example mos devices
  Sic是唯一可以氧化生长成sio _ 2的化合物半导体材料，这使得它可以运用si平面工艺条件进行sic器件的制造，特别制作mos器件方面。
• Using sige bicmos darlington configuration as the input stage , the input resistance is increased by the mos devices while the transconductance of sige hbts is maintained . in the same time , the equivalent input noise is controlled well because of the sige hbts ’ good noise performance in the input stage
  输入级的设计采用sigebicmos达林顿结构,在保留sigehbt高跨导优势的基础上充分利用mos器件来提升运放输入电阻,此外,基于输入级中sigehbt良好的噪声特性,运放的输入参考噪声电压可以大大降低。

• mos device перевод